Texas Instruments Incorporated (TI) ha annunciato l’intenzione di avviare l’anno prossimo la costruzione dei suoi nuovi impianti per la fabbricazione di wafer a semiconduttore da 300 millimetri (di seguito «fab») a Sherman in Texas. Il sito nel Texas settentrionale ha il potenziale per ospitare un massimo di quattro fab per soddisfare la domanda con il passare del tempo, in quanto in futuro si prevede una continua crescita per i semiconduttori nell’elettronica, in particolare nei mercati dell’industria e dell’automotive. La costruzione della prima e della seconda fab dovrebbe partire nel 2022.
“Le future fab a 300 mm per l’elaborazione analogica e integrata di TI presso lo stabilimento di Sherman rientrano nella pianificazione della nostra capacità nel lungo periodo di continuare a rafforzare il nostro vantaggio competitivo tecnologico e produttivo e sostenere la domanda dei nostri clienti nei decenni a venire”, ha affermato Rich Templeton, direttore generale, presidente e CEO di TI. “Il nostro impegno nel Texas settentrionale dura da più di 90 anni e questa decisione è la testimonianza della nostra forte collaborazione e degli investimenti nella comunità di Sherman”.
Si prevede che la prima nuova fabbrica inizierà a produrre già nel 2025. Con la possibilità di arrivare fino a quattro fab, il potenziale di investimento totale del sito potrebbe raggiungere circa $ 30 miliardi e creare 3.000 posti di lavoro diretti nel corso del tempo.
Le nuove fab andranno a completare le fab da 300 mm di TI già esistenti che comprendono DMOS6 (Dallas, Texas), la RFAB1 e la RFAB2 (entrambe a Richardson, Texas); quest’ultima sarà completata a breve e dovrebbe iniziare la produzione nella seconda metà del 2022. Inoltre, la LFAB (Lehi, Utah), recentemente acquisita da TI, dovrebbe iniziare a produrre all’inizio del 2023.
